Description

• Étude du vide : Suivi de la pression partielle des gaz résiduels dans une enceinte. Analyse de la vitesse de pompage en fonction du type de pompes à vide et des conductivités du montage.
• Pulvérisation cathodique : Elaboration de couches minces d’oxydes (ZnO, ITO). Étude de leurs propriétés structurales, optiques et de transport en fonction des paramètres de dépôt.
• Microscopie à effet tunnel (STM) : Imagerie et analyse d’une surface de graphite, Analyse du courant tunnel en fonction de la distance pointe surface et la tension appliquée.
• Salle blanche : Réalisation de petits objets de taille micrométrique. Analyse de leurs propriétés électriques et profilométriques.
• Magnétisme : Etudes des propriétés magnétiques d’échantillons de Ni. Anisotropie de forme. Champ démagnétisant.
• Mesures de résistivité : Mesures de la résistance d’échantillons métalliques par la méthode des quatre pointes en courant alternatif. Etude de la variation de la résistivité avec la température. Mise en évidence des mécanismes de diffusion des porteurs à hautes et basses températures.
• Microscopie optique en lumière polarisée: Manipulation de la polarisation de la lumière et l'obtention d'un contraste optique en lumière polarisé. La physique de matériaux biréfringents. Lames de phase et la biréfringence. Etude des cristaux liquide et d'autres matériaux biréfringents. 

Compétences visées

• Identifier les différents éléments nécessaires pour réaliser et mesurer le vide dans une enceinte. Analyser les facteurs limitants ;
• Pratiquer le dépôt de couches minces sous vide et analyser l’influence des conditions de dépôts sur les propriétés structurales, optiques et de transport ;
• Expérimenter la microscopie à effet tunnel afin de visualiser la topographie de surface des différents matériaux conducteurs ;
• Comprendre le principe de fonctionnement d’un magnétomètre à échantillon vibrant et analyser les propriétés magnétiques d’un matériau ;
• Expérimenter la lithographie optique afin de réaliser des objets de taille micrométrique et comprendre ses limites ;
• Comprendre la façon de mesurer des petites résistances électriques et intégrer les mécanismes de diffusion des porteurs à travers des mesures de résistivité électrique en fonction de la température.

Contacts

Responsable(s) de l'enseignement

• Silviu-Mihail Colis

Membres de l'équipe pédagogique

• Mircea Rastei